Cod:NAC008837
Descrição do produto
SSD Hikvision E2000 1TB M.2 NVME 3300MBs HS-SSD-E2000(STD)/1024G
E2000 adota interface M.2, SSD avançado chip de computação de controle e flash NAND 3D para melhorar efetivamente
Velocidade R / W e garantia de segurança dos dados.
Aplica-se a computadores pessoais e servidores proxy de pequeno porte para fornecer serviço estável e de alta velocidade. Também pode melhorar os jogos de última geração experiência e desempenho de edição de gráficos 3D.
ESPECIFICAÇÕES:
Alta velocidade R / W
Suporta PCIe e NVMe
Máx. velocidade de leitura de até 3300 MB / s
3D NAND
Adota o flash 3D NAND para otimizar a capacidade, desempenho e estabilidade.
Á prova de choque
Sem estrutura mecânica
Adota controle de chips eletrônicos
Alta segurança de dados
M.2 Interface
Fator de forma M.2 (NGFF)
Interface PCIe Gen 3 x 4, NVMe
Suporte de memória cache DRAM
Dimensões 80,15 mm × 22,15 mm × 2,38 mm
Máx. velocidade de leitura sequencial de 128 K 3300 MB / s
Máx. velocidade de gravação sequencial de 128 K 3000 MB / s
Máx. leitura aleatória de 4 K IOPS 115 K
Máx. gravação aleatória de 4 K IOPS 325 K
Consumo
Ler (RMS máx.): 3,96 W
Gravação (RMS máx.): 7,2 W
Resistência (TBW): 1280 TB
Memória flash: NAND 3D TLC
Peso: 8 g
MTBF (tempo médio entre falhas): 2.000.000 h
Temperatura de operação de: 0 ° C a 70 ° C (32 ° F a 158 ° F)
Temperatura de armazenamento: -40 ° C a +85 ° C (-40 ° F a +185 ° F)
Umidade de operação: 5% a 95% (sem condensação)
Imagens de caráter ilustrativo
NAC008837
E2000 adota interface M.2, SSD avançado chip de computação de controle e flash NAND 3D para melhorar efetivamente
Velocidade R / W e garantia de segurança dos dados.
Aplica-se a computadores pessoais e servidores proxy de pequeno porte para fornecer serviço estável e de alta velocidade. Também pode melhorar os jogos de última geração experiência e desempenho de edição de gráficos 3D.
ESPECIFICAÇÕES:
Alta velocidade R / W
Suporta PCIe e NVMe
Máx. velocidade de leitura de até 3300 MB / s
3D NAND
Adota o flash 3D NAND para otimizar a capacidade, desempenho e estabilidade.
Á prova de choque
Sem estrutura mecânica
Adota controle de chips eletrônicos
Alta segurança de dados
M.2 Interface
Fator de forma M.2 (NGFF)
Interface PCIe Gen 3 x 4, NVMe
Suporte de memória cache DRAM
Dimensões 80,15 mm × 22,15 mm × 2,38 mm
Máx. velocidade de leitura sequencial de 128 K 3300 MB / s
Máx. velocidade de gravação sequencial de 128 K 3000 MB / s
Máx. leitura aleatória de 4 K IOPS 115 K
Máx. gravação aleatória de 4 K IOPS 325 K
Consumo
Ler (RMS máx.): 3,96 W
Gravação (RMS máx.): 7,2 W
Resistência (TBW): 1280 TB
Memória flash: NAND 3D TLC
Peso: 8 g
MTBF (tempo médio entre falhas): 2.000.000 h
Temperatura de operação de: 0 ° C a 70 ° C (32 ° F a 158 ° F)
Temperatura de armazenamento: -40 ° C a +85 ° C (-40 ° F a +185 ° F)
Umidade de operação: 5% a 95% (sem condensação)
Imagens de caráter ilustrativo
NAC008837
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